IBMが「1ナノ未満」半導体技術　ラピダス世代から性能5割向上

概要

米IBMが回路線幅1ナノメートル未満の次世代半導体技術（0.7ナノ世代相当）を開発し、ラピダスに供与する2ナノ技術と比較して性能を最大5割向上させる見通しを発表した。

詳細内容

米IBMは、回路線幅が1ナノメートル未満（0.7ナノメートル世代相当）の次世代半導体製造に関する基礎技術を開発したと発表した。この新技術は、現在日本のラピダス（Rapidus）に供与されている2ナノメートル世代の技術と比較して、性能を最大5割向上させることができる見通しだ。主なポイントは以下の通り：1. 性能向上：2ナノ世代比で演算性能や電力効率が大幅に改善。2. 実用化時期：今後5年以内の実用化を目指す。3. 戦略的重要性：微細化の限界に挑むことで、AIやデータセンター向けの高効率チップ需要に応える。4. 日本への影響：ラピダスが2ナノの量産化を急ぐ中で、さらにその先を見据えた技術ロードマップが示された形となる。この開発により、IBMは最先端半導体の設計・研究開発における主導権を維持し、次世代コンピューティングの基盤強化を図る。

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